一种晶体管及其制造方法和DRAM器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种晶体管及其制造方法和DRAM器件，属于半导体技术领域，解决了现有鳍高度增加导致存储器结构的厚度增加，进而短沟道效应改善会受限制的问题。晶体管包括：半导体衬底；鳍片，位于所述半导体衬底上，其中，所述鳍片包括两端的源/漏区，以及夹置于所述源/漏区之间的至少两个沟道区；STI，位于所述半导体衬底上，且至少位于所述鳍片两侧，所述鳍片的顶部高于所述STI的顶部；栅堆叠，跨过所述沟道区与所述鳍片相交。多鳍状沟道区增加了沟道区与栅堆叠之间的接触面积，进而能够有效地改善短沟道效应。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体管及其制造方法和DRAM器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497036A
申请号 ：
CN202011256680.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金一球李俊杰周娜范正萍
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
牛洪瑜
优先权 ：
CN202011256680.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234 H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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