在存储器件中制造三沟道晶体管的方法
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摘要
本发明所揭露的是一种制造存储器件的晶体管的方法，该方法在形成低电阻的栅电极时能防止孔隙的生成。这种方法包括通过蚀刻半导体衬底形成有源区域，在半导体衬底中形成场氧化层以及通过蚀刻场氧化层形成凹陷部。栅极绝缘层沿着有源区域的上表面和有源区域暴露的部分形成。栅电极在场氧化层上形成，使得栅电极穿过有源区域的上部延伸，同时与沟道区凹陷部重迭。将要被构图的第一导电层具有相同的厚度，使得低电阻栅电极可以轻易制作而不会形成孔隙。
基本信息
专利标题 ：
在存储器件中制造三沟道晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1858900A
申请号 ：
CN200510118749.7
公开（公告）日 ：
2006-11-08
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张世亿金龙洙吴在根
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118749.7
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239 H01L21/822 H01L21/336 H01L21/331 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2008-09-03 ：
授权
2007-01-03 ：
实质审查的生效
2006-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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