晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提出了一种晶体管阵列及其制造方法，其中，所述晶体管阵列，包括：分别沿第一方向和第二方向排列的多个具有两个分支部的U型有源柱；其中，每一所述U型有源柱包括：沟道区；源极，位于所述沟道区的第一端；漏极，位于所述沟道区的第二端，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述沟道区在第三方向上相对的两端，所述第三方向与用于形成所述晶体管阵列的衬底的表面垂直；所述第一方向与所述第二方向构成的平面垂直于所述第三方向；多个栅极结构，每一所述栅极结构位于沿第一方向排布的两个相邻U型有源柱之间；以及，多个相互电绝缘的连接部，每一所述连接部将与相应栅极结构物理接触的两个U型有源柱的两个相邻分支部电连接。
基本信息
专利标题 ：
晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373764A
申请号 ：
CN202111643729.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘藩东华文宇
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王军红
优先权 ：
CN202111643729.7
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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