具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
授权
摘要
非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。
基本信息
专利标题 ：
具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1753189A
申请号 ：
CN200510106921.7
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴珉彻许星会崔正达李知晅
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510106921.7
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/105 H01L27/112 H01L21/336 H01L21/8239 H01L21/8246
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-10-03 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
