非易失存储器及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
一种非易失存储器，包括衬底、浮置栅极、控制栅极、源极区与漏极区。其中，衬底中设置有沟槽，且沟槽旁之衬底中具有阶梯状凹陷。浮置栅极设置于沟槽侧壁。控制栅极设置于沟槽与阶梯状凹陷之间的衬底上，且延伸至阶梯状凹陷中。源极区设置于沟槽底部之衬底中，漏极区则设置于阶梯状凹陷底部之衬底中。
基本信息
专利标题 ：
非易失存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101022114A
申请号 ：
CN200610007024.5
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张格荥张骕远
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610007024.5
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L29/788 H01L21/8247 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-12-16 ：
专利权的视为放弃
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101022114A.PDF
PDF下载
