非易失性存储器件及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1841774A

申请号：

CN200610067355.8

公开（公告）日：

2006-10-04

申请日：

2006-02-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

韩祯希金柱亨金桢雨田尚勋郑渊硕李承铉

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610067355.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247