非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明披露非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。

基本信息

专利标题：

非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101546784A

申请号：

CN200910006934.5

公开（公告）日：

2009-09-30

申请日：

2006-01-04

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吕函庭

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

张春媛

优先权：

CN200910006934.5

主分类号：

H01L29/792

IPC分类号：

H01L29/792 H01L27/115