非易失性存储单元、这种存储单元的阵列及制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

在具有第一导电类型和表面的单晶半导电材料衬底内制造非易失性存储单元。沟槽位于表面内并延伸进入衬底至第一深度并至比第一深度深的第二深度。该沟槽具有沿沟槽延伸到第一深度的第一侧壁，和沿沟槽从第一深度延伸到第二深度的第二侧壁，以及沿沟槽底部的底壁。第二导电类型的第一区位于衬底内并沿沟槽的底部。第二导电类型的第二区位于衬底内并沿沟槽的表面。沟道区位于第一区和第二区之间的衬底内。控制栅从衬底的表面延伸进入沟槽至第二深度，并与底部绝缘。该控制栅与沟槽的第二侧壁相邻并与其绝缘。浮置栅位于沟槽的第一侧壁和控制栅之间，与沟槽的第一侧壁相邻并与其绝缘。

基本信息

专利标题：

非易失性存储单元、这种存储单元的阵列及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1773728A

申请号：

CN200510113614.1

公开（公告）日：

2006-05-17

申请日：

2005-10-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·基亚尼安A·莱维

申请人：

硅存储技术公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200510113614.1

主分类号：

H01L29/788

IPC分类号：

H01L29/788 H01L27/105 H01L27/115 H01L21/8239 H01L21/8247 H01L21/336