具有电荷俘获层的非易失存储单元结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种在非易失存储器件及其制造方法。在所述器件中，电荷俘获层的至少一个边缘是凹入的。这样，在编程操作期间器件的域值电压和在擦除操作期间器件的域值电压保持在适当且稳定的水平。结果，改善了器件特性。
基本信息
专利标题 ：
具有电荷俘获层的非易失存储单元结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783513A
申请号 ：
CN200510113879.1
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金相秀
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113879.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L27/105 H01L21/8239
法律状态
2009-10-28 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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