用于控制俘获的离子的装置及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及用于控制俘获的离子的装置及其制造方法。一种控制俘获的离子的装置包括第一半导体衬底。第二半导体衬底设置在第一半导体衬底上方。至少一个离子阱在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间的空间中被配置成俘获离子。在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间设置间隔物，该间隔物包括将第一半导体衬底的第一金属层结构电连接到第二半导体衬底的第二金属层结构的电互连。
基本信息
专利标题 ：
用于控制俘获的离子的装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114358297A
申请号 ：
CN202111157175.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·罗斯勒S·奥赫特M·格鲁贝尔J·E·罗斯勒
申请人 ：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202111157175.X
主分类号 ：
G06N10/40
IPC分类号 ：
G06N10/40 G06N10/20
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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