用于控制俘获的离子的装置
公开
摘要
一种用于控制俘获的离子的装置包括第一衬底。第二衬底设置在第一衬底上方。一个或多个第一能级离子阱被配置成俘获第一衬底和第二衬底之间的空间中的离子。一个或多个第二能级离子阱被配置成俘获第二衬底上方的空间中的离子。提供在第二衬底中的开口，通过该开口离子可以在第一能级离子阱和第二能级离子阱之间转移。
基本信息
专利标题 ：
用于控制俘获的离子的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114358298A
申请号 ：
CN202111157190.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·罗斯勒S·奥克特J·E·罗斯勒G·斯托克
申请人 ：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202111157190.4
主分类号 ：
G06N10/40
IPC分类号 ：
G06N10/40 G06N10/20
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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