等离子体控制方法及等离子体控制装置

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明提供等离子体控制方法等，用等离子体CVD装置来成膜时，简单得到与随成膜条件变化而变的膜厚均匀性的检测量的膜厚均匀性改善方法；跟踪因批量制作期间不同而产生峰间电压Vpp的绝对值及分布变化的特性变动，得到良好特性均匀性；能提高产品合格率。在具有连接高频供电源(205)的高频电极(210)和与高频电极(210)相对方向并且连接接地电位等的接地电极(211)的真空容器(201)内，在由施加在高频电极(210)上的高频电力控制生成等离子体(206)的分布时，在生成等离子体时，根据使用设置在高频电极(210)或/和接地电极(211)上的峰间电压检测部分检测的电极的峰间电压Vpp，控制等离子体的分布。

基本信息

专利标题：

等离子体控制方法及等离子体控制装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1783429A

申请号：

CN200510124186.2

公开（公告）日：

2006-06-07

申请日：

2005-11-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

下泽慎

申请人：

富士电机控股株式会社

申请人地址：

日本川崎

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200510124186.2

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/31 H01L21/20 C23C16/50 C23C14/34 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/46