等离子体加工方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，例如1，1，1，4，4，4－六氟－2－丁炔或1，1，1，4，4，5，5，5－八氟－2－戊炔。
基本信息
专利标题 ：
等离子体加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790613A
申请号 ：
CN200510117383.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本田昌伸
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510117383.1
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/205 C23C16/44 C23F4/00 C07C21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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