等离子体加工方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。
基本信息
专利标题 ：
等离子体加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041790A
申请号 ：
CN89107899.1
公开（公告）日 ：
1990-05-02
申请日 ：
1989-10-11
授权号 ：
CN1029991C
授权日 ：
1995-10-11
发明人 ：
山崎舜平林茂则石田典也佐佐木麻里竹山顺一伊藤健二小政弘角野真也
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
齐曾度
优先权 ：
CN89107899.1
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/34 C03C17/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2008-12-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1995-10-11 ：
授权
1992-01-22 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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