等离子体掺杂方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
目的是实现一种能够精确控制剂量来改善剂量的面内均匀性的等离子体掺杂方法。该等离子体掺杂方法基于这样的发现而且注意到结果，如果通过用B2H6等离子体照射硅基板且该硅基板被偏置，则对于一时间段硼的剂量基本固定，且比可以确保装置控制的重复性的时间，饱和时间更长且更稳定。当等离子体照射开始时，剂量最初增加，但是随后剂量继续为基本固定而与时间变化无关。另外，如果时间进一步增加，则剂量减少。如果剂量基本固定而与时间变化无关的该时间段被采用作为工艺窗，则可以精确控制剂量。
基本信息
专利标题 ：
等离子体掺杂方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076879A
申请号 ：
CN200580042734.5
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木雄一朗冈下胜己伊藤裕之水野文二奥村智洋
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
葛飞
优先权 ：
CN200580042734.5
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2013-04-24 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101576020485
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利申请号 : 2005800427345
申请公布日 : 20071121
号牌文件序号 : 101576020485
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利申请号 : 2005800427345
申请公布日 : 20071121
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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