制磷掺杂源用的掺杂组合物及掺杂硅片的方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
掺杂组合物包括：(a)通过100目筛孔或更细的多昌陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0～300℃范围内不应大于32×10-7/℃，该陶瓷由下列氧化物组成(按摩尔百分比)：P2O5占45～75％，Al2O3占11～28％，Ta2O5占6.5～13％，SiO2占0～20％，La2O3占0～7％，其中，P2O5+Al2O3+Ta2O5占组成的摩尔百分比至少为75％；(b)Al2O3；以及(c)磷酸水溶液，它与Al2O3反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。
基本信息
专利标题 ：
制磷掺杂源用的掺杂组合物及掺杂硅片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88103168A
申请号 ：
CN88103168.2
公开（公告）日 ：
1988-12-28
申请日 ：
1988-05-28
授权号 ：
CN1018970B
授权日 ：
1992-11-04
发明人 ：
詹姆斯·埃里奇·拉普
申请人 ：
欧文斯·伊利诺衣电视产品公司
申请人地址 ：
美国俄亥俄州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN88103168.2
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 C30B31/08 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1996-07-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-08-04 ：
授权
1992-11-04 ：
审定
1990-09-12 ：
实质审查请求
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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