用于硅片制绒的推片挡条装置以及硅片制绒的溶液槽
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于硅片制绒的推片挡条装置,推片挡条装置设于用于浸泡硅片的溶液槽的底部,包括:设于溶液槽底部的支座;用于推动花篮中的硅片的挡条;一端和支座铰接,另一端和挡条固定连接的连接件;一端和支座活动连接,且和连接件连接支座的一端固定连接的横杆,和连接件背离横杆的一侧相连接的侧拉件。本申请中将推动硅片的挡条设置在溶液槽底部,连接件和横杆之间形成V型结构,当横杆被花篮下压,连接件即可带动挡条向花篮侧面推压,以达到推动硅片的目的。因此,本申请中的推片挡条装置能够在很大程度上降低硅片在浸泡过程中的碎片的问题,降低硅片损耗。本申请还提供了一种硅片制绒的溶液槽,具有上述有益效果。

基本信息
专利标题 :
用于硅片制绒的推片挡条装置以及硅片制绒的溶液槽
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921584288.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-23
授权号 :
CN210684002U
授权日 :
2020-06-05
发明人 :
刘权辉周超
申请人 :
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
薛娇
优先权 :
CN201921584288.6
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/06  H01L31/0236  H01L31/18  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2020-06-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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