本实用新型公开了一种半导体硅片局部掺杂装置，包括半导体硅片和与半导体硅片相互配合的掺杂箱，掺杂箱的一侧设有密封门，掺杂箱的顶端设有激光发射器和反射镜，掺杂箱的顶壁上固定安装有与激光发射器和与反射镜相互配合的物镜组件，物镜组件的底端固定安装有安装管，安装管底端的外侧壁上固定安装有环形固定板，且环形固定板固定安装在掺杂箱的顶壁上，掺杂箱的顶壁上设有开口。本实用新型中掺杂气体离子只与半导体硅片上需要发生掺杂反应的位置接触，因此加工时只有需要发生掺杂反应的位置才会发生掺杂反应，其他位置即使温度上升后也会由于未与掺杂气体离子接触而不会发生掺杂反应，从而可以精准的实现局部掺杂，实用效果好。