稀土掺杂的半导体薄膜
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种光学有源外延薄膜及具有该外延薄膜的光电子器件。本发明的光学有源外延薄膜包括由硅、锗或硅-锗构成的半导体，所述薄膜含有从约8×1018至约8×1019原子/厘米3的稀土元素，且基本上无稀土元素的硅化物和锗化物析出。
基本信息
专利标题 ：
稀土掺杂的半导体薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1255736A
申请号 ：
CN99123482.0
公开（公告）日 ：
2000-06-07
申请日 ：
1993-08-30
授权号 ：
CN1114225C
授权日 ：
2003-07-09
发明人 ：
大卫·B·彼迟
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN99123482.0
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L31/0288 H01L31/18 H01L33/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101344368664
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL991234820
申请日 : 19930830
授权公告日 : 20030709
终止日期 : 20110830
号牌文件序号 : 101344368664
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL991234820
申请日 : 19930830
授权公告日 : 20030709
终止日期 : 20110830
2003-07-09 ：
授权
2000-06-07 ：
公开
2000-05-10 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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