稀土掺杂的光子级联VCSEL激光器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种稀土掺杂的光子级联VCSEL激光器，该激光器为半导体衬底上制备的具有稀土掺杂半导体层的VCSEL芯片外延结构，包括激光谐振腔和稀土掺杂高增益有源区，两者形成光子级联复合腔，激光谐振腔内的激光产生机制形成电致发光，在注入电流的激励下，电子和空穴重新复核辐射大量光子，形成能带间的第一波长激光；当第一波长激光得到预设强度时，激发稀土掺杂高增益有源区中掺杂的金属离子的粒子能级从而跃迁产生第二波长激光，形成光致发光，使得第一波长激光被完全吸收，激光器只发出第二波长激光。通过本发明的技术方案，实现了能级跃迁过程中能量的高效利用，提高了发光效率，并实现了窄线宽激光输出。
基本信息
专利标题 ：
稀土掺杂的光子级联VCSEL激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336285A
申请号 ：
CN202111655802.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王智勇代京京兰天
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111655802.2
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/30
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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