一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法
公开
摘要
本发明提供一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法，涉及半导体激光器技术领域，包括：衬底，衬底上设有半导体外延结构，半导体外延结构中包括稀土离子掺杂层，两侧面分别设有反射端面和出射端面；半导体外延结构在注入电流的激励下形成第一波长激光，第一波长激光在半导体外延结构中振荡，在经过稀土离子掺杂层时激发掺杂的稀土离子发生能级跃迁并产生第二波长激光，第二波长激光在反射端面和出射端面形成的激光谐振腔中振荡，并通过出射端面输出。本发明在传统的边发射半导体激光器中掺杂稀土离子，通过光子级联的方式实现稀土离子激射光，实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高边发射半导体激光器发光强度和发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300946A
申请号 ：
CN202111651627.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王智勇代京京兰天
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111651627.X
主分类号 ：
H01S5/30
IPC分类号 ：
H01S5/30 H01S5/10
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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