一种光栅面发射半导体激光器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种光栅面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，该激光器包括依次设置的表面金属电极层、脊波导层、p型掺杂包层、p型掺杂光限制层、有源区、一阶光栅层、n型掺杂光限制层、隔离层和衬底层，在有源区上方设有高阶表面光栅，脊波导在与高阶表面光栅的重叠区为宽度渐变结构，形成折射率的渐变，使得激光出射角度与激光器表面法线方向存在一个夹角。本发明较小的脊波导宽度改变能实现较大的等效折射率变化，等效“啁啾”效果佳，实现激光出射的方向偏离激光器表面法线方向。
基本信息
专利标题 ：
一种光栅面发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284866A
申请号 ：
CN202111629152.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
敖应权
申请人 ：
中国电子科技南湖研究院
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区七星街道灵湖南路东200米清风榻
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨天娇
优先权 ：
CN202111629152.4
主分类号 ：
H01S5/185
IPC分类号 ：
H01S5/185 H01S5/10
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/185
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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