一种边发射型半导体激光器芯片测试系统
授权
摘要

本实用新型涉及一种边发射型半导体激光器芯片测试系统,包括上料载台以及可调测试温度的测试载台,上料载台和测试载台均有多个,每一上料载台配设多个测试载台,且每一上料载台和与其对应的各测试载台位于同一条测试线上,在同一条测试线上上料载台和各测试载台依次设置;测试系统还包括将上料载台上的待测芯片转移至与其对应的测试载台上的上料机构以及在同一条测试线上将测试载台上的待测芯片转移至下一个测试载台上的搬运机构。本实用新型通过多条测试线预先对不同温度的检测进行分类,并通过可调测试温度的测试台根据需求预先调整好检测温度,然后一次动作即可完成多个温度的检测,无需重复调节温度和搬运芯片进行检测,提高了检测效率。

基本信息
专利标题 :
一种边发射型半导体激光器芯片测试系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020435736.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN212459947U
授权日 :
2021-02-02
发明人 :
向欣
申请人 :
武汉云岭光电有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
胡建文
优先权 :
CN202020435736.2
主分类号 :
G01R31/28
IPC分类号 :
G01R31/28  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试,例如用信号故障寻测器
法律状态
2021-02-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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