半导体激光器老化测试系统及方法
公开
摘要
本申请涉及一种半导体激光器老化测试系统及方法，系统包括：电源；至少两个用于安装待老化测试激光器的激光器测试工位；用于采集每一激光器测试工位上的激光器光电参数的激光器测试装置；用于将激光器测试装置移至对应激光器测试工位上的移动装置；开关装置，其一端与电源连接，其另一端与每一激光器测试工位上的激光器连接，其用于控制电源与每一激光器测试工位上的激光器之间的通电状态；控制装置，其与激光器测试装置、移动装置、开关装置连接。在测试时，控制装置通过开关装置控制电源逐一为激光器测试工位上的激光器通电，并控制激光器测试装置为通电的激光器测试；在老化时，控制装置通过开关装置控制电源为激光器测试工位上的激光器通电。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器老化测试系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594358A
申请号 ：
CN202210060957.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵森
申请人 ：
深圳活力激光技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道新和社区福园一路35号天瑞工业园A2栋301
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何倚雯
优先权 ：
CN202210060957.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/01 G01R1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
