功率半导体器件的老化锤击测试装置
授权
摘要

本申请涉及功率半导体的测试技术领域,公开了一种功率半导体器件的老化锤击测试装置。本申请中的功率半导体器件的老化锤击测试装置包括:外壳、至少一个电源、多个支撑件以及至少一个测试组件:多个支撑件位于所述外壳内部,并相对于所述外壳固定设置;至少一个电源和至少一个测试组件位于多个支撑件中的至少一个上;至少一个测试组件包括测试电路板,功率半导体器件能够插设于测试电路板上;至少一个电源与测试组件电连接。通过扩展支撑件,本申请公开的功率半导体器件的老化锤击测试装置能够都同时对上百个功率半导体器件进行老化锤击测试,从而有效地作为现有JEDEC的相关可靠性测试要求及认证的补充测试。

基本信息
专利标题 :
功率半导体器件的老化锤击测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921521665.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-12
授权号 :
CN211478534U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
叶忠杨海龙
申请人 :
上海瞻芯电子科技有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 :
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 :
肖华
优先权 :
CN201921521665.1
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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