半导体器件测试系统

授权

摘要

本实用新型公开了一种半导体器件测试系统。所述半导体器件测试系统包括上位机、电源输入单元、门极驱动单元、温度调节单元及检测单元。所述上位机用于根据用户的测试指令发出不同的控制信号。所述电源输入单元用于根据上位机传输的控制信号提供高压电源。所述门极驱动单元用于根据上位机传输的控制信号产生对应的驱动信号。所述温度调节单元用于根据上位机传输的控制信号提供测试所需的温度。所述检测单元用于根据上位机传输的控制信号获取待测半导体器件的测试数据，并将测试数据传输至上位机以得到测试结果。如此，可实现测试过程的集成控制，提高测试效率。

基本信息

专利标题：

半导体器件测试系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020488620.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-07

授权号：

CN212364485U

授权日：

2021-01-15

发明人：

蒋成明雷仕建刘福红何强王叙夫王运

申请人：

深圳青铜剑科技股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋101

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020488620.5

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26