半导体器件的测试方法
公开
摘要
本发明提供了一种半导体器件的测试方法，包括：编写测试程式，一个测试程式包含一个UID号池，一个UID号池被一个测试程式调用，并且，同一型号的的半导体器件调用的测试程式相同；将同一型号的半导体器件分成M份，采用N个测试机台同时对N份所述半导体器件进行测试，每个所述测试机台选择一份所述半导体器件进行测试，其中，每个所述测试机台的测试程式选用一个UID号段，不同所述测试机台选用的所述UID号段均不同，每个所述测试机台将对应的所述UID号段及其中的UID写入所述半导体器件中，并且，一个所述UID写入一个所述半导体器件，并且，N≤M。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582748A
申请号 ：
CN202210204743.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵嘉阳凌俭波王华王辉
申请人 ：
上海华岭集成电路技术股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区郭守敬路351号2号楼6楼
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗磊
优先权 ：
CN202210204743.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
