一种半导体器件测试电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路与该漏极串接，该熔断支路包括熔断丝，该熔断丝的一端与该漏极电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该漏极、电性接点形成空气桥结构。它具有如下优点：熔断速度快、制作简单、成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022300118.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN213546268U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
许小靓蔡文必廖金昌鲁华城
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202022300118.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L29/20 H01L29/772
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
