半导体器件、驱动电路以及半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种半导体器件、驱动电路以及半导体器件的制造方法，可以抑制晶体管的阈值电压的上升且提高其耐压。其中，在SOI衬底(4)中的n－型的半导体层(3)上形成p沟道型的MOS晶体管(20)的源区(5)和漏区(6)。在半导体层(3)内形成n型的杂质区(9)。杂质区(9)在源区(5)的正下方在其底部的全部区域上形成，且在源区(5)和漏区(6)之间的半导体层(3)的正下方形成。在源区(5)和漏区(6)之间的半导体层(3)的上表面的正下方，杂质区(9)中的杂质浓度的峰值的位置(9a)设定在源区(5)的最下端(5a)的下方。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、驱动电路以及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822395A
申请号 ：
CN200610009028.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
新田哲也山下泰典柳振一郎山本文寿
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200610009028.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/088 H01L21/336 H01L21/8232
相关图片
法律状态
2015-04-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604304078
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20140216
号牌文件序号 : 101604304078
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20140216
2010-11-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036789121
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101036789121
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2010-11-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036789120
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100916
号牌文件序号 : 101036789120
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100090287
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100916
2010-05-12 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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