用于半导体器件的测试装置和制造半导体器件的方法
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摘要

提供了一种用于有效测试半导体封装的测试板和测试系统,以及使用该测试板和测试系统的用于半导体封装的制造方法。测试装置包括:现场可编程门阵列(FPGA),被配置为输出要发送到半导体器件的第一数据信号和要发送到半导体器件的第二数据信号;以及存储器,被配置为存储测试结果。该FPGA包括:第一输入/输出块,被配置为输出第一数据信号;第二输入/输出块,被配置为输出第二数据信号;串行器/解串器(SerDes)电路,被配置为生成选通信号;以及偏斜校准输入/输出块,被配置为从第一输入/输出块接收第一数据信号,从第二输入/输出块接收第二数据信号,以及从SerDes电路接收选通信号。

基本信息
专利标题 :
用于半导体器件的测试装置和制造半导体器件的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110596561A
申请号 :
CN201910359457.4
公开(公告)日 :
2019-12-20
申请日 :
2019-04-30
授权号 :
CN110596561B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
尹柱盛权纯一俞柄敃
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邵亚丽
优先权 :
CN201910359457.4
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-12 :
授权
2020-01-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190430
2019-12-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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