半导体器件的测试方法以及测试装置
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种半导体器件的测试方法以及测试装置,测试方法包括:将半导体器件连接至测试装置,之后,将增量步进脉冲操作中的其中一级操作电压作为预设操作电压,并根据增量步进脉冲操作的操作脉冲数量、操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子,计算得到预设脉冲数量,最后,以预设脉冲数量的预设操作电压,对半导体器件进行预设次数的编程和擦除,本发明提供的半导体器件的测试方法,通过以预设操作电压对半导体器件进行编程和擦除,使得半导体器件的外围高压电路可以接收到充分的电压应力,从而,半导体器件在测试后所呈现出的应力表征会更加准确,提高了测试结果的准确性。

基本信息
专利标题 :
半导体器件的测试方法以及测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496059A
申请号 :
CN202210060735.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
于奎龙李喜强豆平涛管琪卢志刚韩坤
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
李镇江
优先权 :
CN202210060735.8
主分类号 :
G11C29/56
IPC分类号 :
G11C29/56  G06F11/22  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置,例如:用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置,例如,自动测试设备;所用接口
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/56
申请日 : 20220119
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332