半导体结构的测试方法及测试装置
实质审查的生效
摘要

本公开涉及一种半导体结构的测试方法及测试装置。所述半导体结构的测试方法包括如下步骤:提供存储阵列;选定目标存储单元,并对所述目标存储单元执行测试操作,所述测试操作包括如下步骤:向与所述目标存储单元连接的所述位线施加第一电压;选定与所述目标存储单元相邻的至少一存储单元作为干扰存储单元,并向与所述干扰存储单元连接的所述位线施加第二电压,且所述第二电压与所述第一电压之间的差值的绝对值大于1V;读取所述目标存储单元;判断所述目标存储单元的读取值是否为第一写入值,若否,则确认所述目标存储单元漏电。本公开减少了存储单元漏电检测过程中的漏检问题。

基本信息
专利标题 :
半导体结构的测试方法及测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512172A
申请号 :
CN202210152844.2
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李想顾彦辉
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈丽丽
优先权 :
CN202210152844.2
主分类号 :
G11C29/12
IPC分类号 :
G11C29/12  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试,例如,在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置,例如,内置的自检装置
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/12
申请日 : 20220218
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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