本公开涉及一种半导体结构的测试方法及测试装置。所述半导体结构的测试方法包括如下步骤：提供存储阵列；选定目标存储单元，并对所述目标存储单元执行测试操作，所述测试操作包括如下步骤：向与所述目标存储单元连接的所述位线施加第一电压；选定与所述目标存储单元相邻的至少一存储单元作为干扰存储单元，并向与所述干扰存储单元连接的所述位线施加第二电压，且所述第二电压与所述第一电压之间的差值的绝对值大于1V；读取所述目标存储单元；判断所述目标存储单元的读取值是否为第一写入值，若否，则确认所述目标存储单元漏电。本公开减少了存储单元漏电检测过程中的漏检问题。