半导体结构及测试方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法，半导体结构包括：衬底；至少一个硅通孔，硅通孔设置于衬底中，且与第一探测垫电性连接；至少一个接触结构，接触结构的底部延伸到衬底内部，且与第二探测垫电性连接；第一探测垫和第二探测垫位于衬底上方且相邻间隔设置；掺杂层，掺杂层位于衬底内部，且在接触结构的底部与接触结构电性连接。本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法用于检测硅通孔的漏电状态。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373739A
申请号 ：
CN202210036449.8
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄凌艺
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈亚男
优先权 ：
CN202210036449.8
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L23/48 G11C11/401 G11C29/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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