具有测试结构的半导体装置及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置包括：一第一测试区；一字元线结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第一轴排列；一第一柱的电容插塞结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第二轴排列，该第二轴与该第一轴垂直；一第二柱的电容插塞结构，相邻设置于该第一柱的电容插塞结构，且平行于该第一柱的电容插塞结构排列；及一第一测试结构，包括一第一漏极部分及一第一源极部分，该第一漏极部分沿着该第二轴延伸，该第一源极部分沿着该第二轴延伸。该第一漏极部分设置于该第一柱的电容插塞结构上，且该第一源极部分设置于该第二柱的电容插塞结构上。
基本信息
专利标题 ：
具有测试结构的半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429945A
申请号 ：
CN202111025666.9
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨仓博饶瑞修
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111025666.9
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20210902
申请日 : 20210902
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
