通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构
公开
摘要
本申请提供了一种通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构，该测试结构包括：半导体结构层，为单晶硅结构层和/或多晶硅结构层；多个金属部，包括第一金属部和第二金属部，第一金属部通过第一金属导电柱与半导体结构层电连接，第二金属部通过第二金属导电柱与半导体结构层电连接。该测试结构解决了现有技术中难以评估多晶硅‑通孔界面或者单晶硅‑通孔界面的可靠性的问题。
基本信息
专利标题 ：
通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628367A
申请号 ：
CN202210240939.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨盛玮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202210240939.X
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G01N27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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