测试结构以及测试系统
授权
摘要
本申请公开一种测试结构以及测试系统，能够提高检测上下层接触插塞短路时的检测准确性。所述测试结构设置在晶圆上，所述测试结构位于晶圆的第一区域内，所述测试结构包括：第一导电线路，包括设置在第一高度区域的第一接触插塞，所述第一接触插塞包括第一通孔，以及设置在所述第一通孔内的导电材料；第二导电线路，包括设置在第二高度区域的第二接触插塞，所述第二接触插塞包括第二通孔，以及设置在所述第二通孔内的导电材料；所述第一高度区域和第二高度区域沿垂直所述晶圆表面的方向邻接分布，且所述第一接触插塞和第二接触插塞在所述晶圆表面的投影的距离为预设阈值。
基本信息
专利标题 ：
测试结构以及测试系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122323045.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
CN216288433U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
彭慧耀林淑寒潘剑华洪佳程
申请人 ：
厦门优迅高速芯片有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市软件园观日路52号402
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202122323045.0
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 G01R31/26 G01R31/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
