测试结构
授权
摘要
本公开是关于一种测试结构，所述测试结构包括：衬底、测试电路、止裂槽和封口层，所述衬底包括切割区；测试电路形成于所述切割区；止裂槽形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部；封口层形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。通过止裂槽解决了在沿切割道切割晶圆时，由于测试电路中的金属层的影响导致切割道龟裂，将切割应力传递至晶粒区域，进而可能破坏晶粒区的问题，有利于提高产品良品率和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920996919.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN209822633U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
张志伟
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201920996919.9
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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