晶圆的测试结构
授权
摘要
本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层表面的第一绝缘层；位于第一绝缘层表面的第一伪栅和第二伪栅，第一伪栅与第二伪栅沿第一方向间隔设置并沿第二方向延伸，构成待测电容的两个极板，第一方向、第二方向以及半导体层的厚度方向彼此垂直；位于半导体层上方的第一伪侧墙和第二伪侧墙，第一伪侧墙位于第一伪栅的外围，第二伪侧墙位于第二伪栅的外围，位于第一伪栅与第二伪栅之间的第一伪侧墙与第二伪侧墙构成待测电容的部分介质；第一测试电极和第二测试电极，第一伪栅电连接至第一测试电极，第二伪栅电连接至第二测试电极。该测试结构根据电学测试结果获得伪侧墙的宽度，进而监控半导体器件中侧墙的宽度，提高测试的效率与准确率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220300478.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
CN216719941U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
于江勇张小麟代佳张欣慰周源罗胡瑞
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨思雨
优先权 ：
CN202220300478.6
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 G01R31/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
