用于晶圆键合的电学测试结构

授权

摘要

本实用新型提供一种用于晶圆键合的电学测试结构，所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆；所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘，以及位于第一晶圆背面的表面焊盘，所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通。本实用新型通过在第一晶圆正面设置第一测试焊盘，在第一晶圆背面设置表面焊盘，第一测试焊盘与表面焊盘电学连通，既能保证晶圆正面表面平整，便于键合时晶圆之间的紧密贴合，又能方便地通过位于晶圆背面的表面焊盘进行电学测试，监控晶圆状态下的电学水平，提高产品良率和性能。

基本信息

专利标题：

用于晶圆键合的电学测试结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922053024.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-25

授权号：

CN211404493U

授权日：

2020-09-01

发明人：

张智侃李杰杨瑞坤

申请人：

格科微电子（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201922053024.4

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/66