晶圆的测试结构
授权
摘要
本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层上并沿第一方向间隔排列的第一伪栅和第二伪栅；第一伪侧墙，位于第一伪栅的外围；第二伪侧墙，位于第二伪栅的外围，至少部分第一伪侧墙与第二伪侧墙相对设置；位于半导体层中的第一掺杂区，第一掺杂区包括位于第一伪侧墙与第二伪侧墙之间的重掺杂区，重掺杂区包括沿第二方向设置的两个分隔的接触区，位于两个接触区之间的重掺杂区的截面形状呈矩形；第一测试电极和第二测试电极，分别电连接至重掺杂区的两个接触区，其中，第一方向、第二方向以及半导体层的厚度方向彼此垂直。该测试结构根据电学测试结果获得伪侧墙的宽度，进而监控半导体器件中侧墙的宽度，提高测试的效率与准确率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220300059.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
CN216749888U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
于江勇张小麟代佳张欣慰周源罗胡瑞
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨思雨
优先权 ：
CN202220300059.2
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G01B7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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