提高晶圆切割性能的晶圆结构
授权
摘要
本实用新型提供一种提高晶圆切割性能的晶圆结构，所述晶圆上设置有若干半导体芯片，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；所述金属结构或金属焊盘上设置有沿切割道方向的间隙，以降低切割过程工艺难度，提高切割质量，改善半导体芯片的产品性能。
基本信息
专利标题 ：
提高晶圆切割性能的晶圆结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922329430.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN211605132U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
赵立新许乐李玮
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922329430.9
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L23/544 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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