晶圆的切割方法
实质审查的生效
摘要

一种晶圆的切割方法,包括:提供待切割晶圆;对所述晶圆进行激光切割,直至所述晶圆被贯穿,所述激光切割包括n阶段切割步骤,所述n阶段切割步骤中的第i阶段切割步骤的功率大于第i‑1阶段切割步骤的功率,所述1<i≤n,n为大于等于2的自然数。本发明实施例提供的晶圆的切割方法,调整不同阶段激光切割的功率,可以减小切割前期溅射到晶圆表面的高温硅屑,降低在晶圆表面造成的热影响区域,提高晶圆良率。

基本信息
专利标题 :
晶圆的切割方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114535836A
申请号 :
CN202210299949.0
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-03-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
肖酉苏亚青谭秀文陈旋
申请人 :
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
吴夏帆
优先权 :
CN202210299949.0
主分类号 :
B23K26/38
IPC分类号 :
B23K26/38  B23K26/402  B23K26/064  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B23
机床;其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊;焊接;用钎焊或焊接方法包覆或镀敷;局部加热切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工,例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
B23K26/38
用于打孔或切割
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/38
申请日 : 20220325
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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