切割晶圆的方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：提供晶圆，包括基底、形成于基底中及基底上的多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割区内的切割道结构；移除切割道结构的位于测试元件周围的部分；将晶圆的前侧附着于第一胶带；自晶圆的背侧移除基底的交叠于切割区的部分；将晶圆的背侧附着于第二胶带；以及移除第一胶带以及附着于第一胶带上的切割道结构的剩余部分，而使多个晶粒分离地附着于第二胶带上。
基本信息
专利标题 ：
切割晶圆的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111180322A
申请号 ：
CN201811344565.6
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2018-11-13
授权号 ：
CN111180322B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
陈靖为韦承宏张硕哲陈宏生周信宏
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴志红
优先权 ：
CN201811344565.6
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20181113
申请日 : 20181113
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111180322A.PDF
PDF下载
