晶圆的切割方法
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摘要
本发明公开了一种晶圆的切割方法，在切割单元对晶圆进行环切时，在晶圆下方设置热感模块，热感模块与切割头在晶圆两面分别放置；热感模块在切割时，能实时感应到切割过程中切割区域的温度的变化，并将信号传输给信号处理单元，信号处理单元将热感信号传送至数据处理单元，数据处理单元通过反馈信号回路对切割头进行控制，精确控制切割量。
基本信息
专利标题 ：
晶圆的切割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112447591A
申请号 ：
CN202011355128.1
公开（公告）日 ：
2021-03-05
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
CN112447591B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
肖酉苏亚青谭秀文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦健
优先权 ：
CN202011355128.1
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/67 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-03-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20201127
申请日 : 20201127
2021-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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