双面镀膜晶圆的切割方法、切割设备及晶粒
公开
摘要
本发明公开了一种双面镀膜晶圆的切割方法、切割设备及晶粒。所述的切割方法包括：提供待切割的双面镀膜晶圆，所述双面镀膜晶圆包括晶圆本体和覆设于所述晶圆本体相背两面的正面镀膜和背面镀膜，所述背面镀膜表面覆设有柔性薄膜；从所述双面镀膜晶圆正面的待切割区域进行第一切割产生第一切割槽，所述第一切割槽的底面与所述双面镀膜晶圆的背面镀膜与晶圆本体的界面相距第一预设距离；沿所述第一切割槽的延伸方向继续对所述双面镀膜晶圆进行第二切割至伸入所述柔性薄膜第二预设距离，使所述双面镀膜晶圆分解为多个独立的晶粒。本发明所提供的双面镀膜晶圆的切割方法显著地降低了双面镀膜晶圆在切割中背面镀膜的崩角率以及开裂率。
基本信息
专利标题 ：
双面镀膜晶圆的切割方法、切割设备及晶粒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628325A
申请号 ：
CN202210274324.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾渊李铜铜黄寓洋
申请人 ：
苏州苏纳光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202210274324.9
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/304 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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