一种晶圆镀膜工艺系统及使用其的晶圆镀膜系统
授权
摘要
本实用新型涉及OLED半导体领域，具体涉及一种晶圆镀膜工艺系统及使用其的晶圆镀膜系统，包括工艺腔体以及其内部的工艺装置，所述工艺装置包括喷淋板、底板、晶圆加热器，所述喷淋板由与其底部连接的底板支撑，所述底板上设有通孔，所述通孔与晶圆加热器的面积大小相同；所述晶圆加热器可移动，当所述晶圆加热器进入通孔后，所述晶圆加热器与喷淋板之间留有距离。本实用新型将晶圆镀膜所需的各个系统集成在同一个镀膜平台内，占地面积小；机架底部设计有脚轮和可调支撑，方便转场、定位与安装调试；工艺气氛系统配置模块化，可根据所需工艺不同自由配置，同一平台上，可通过改变配置满足不同镀膜工艺的要求。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆镀膜工艺系统及使用其的晶圆镀膜系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921086903.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210341059U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
王新征黎微明
申请人 ：
江苏微导纳米科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区漓江路11号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
万婧
优先权 ：
CN201921086903.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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