一种晶圆镀膜工艺装置
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摘要

本实用新型具体公开了一种晶圆镀膜工艺装置,属于真空镀膜领域,包括上腔体、内腔体、下腔体、晶圆上下料机构、晶圆运载装置,其中上腔体位于下腔体上部,下腔体一侧有进料口,内腔体位于上腔体中,上下料机构位于下腔体下部,内腔体与上腔体下部设有开口,使内腔体与下腔体连通,晶圆运载装置能够在下腔体与内腔体间运动。在下腔体中进行多片晶圆的装卸,然后通过晶圆上下料机构将多片晶圆运到内腔体中进行镀膜,在实现使晶圆的镀膜工序与上下料工序从空间上进行分离,各自分配有专署的运行空间,便于控制、防止在内腔体反应后产生的颗粒物污染其它腔室,同时可在保障镀膜的膜面积均匀度下实现批量镀膜。

基本信息
专利标题 :
一种晶圆镀膜工艺装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921024222.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-03
授权号 :
CN210765501U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
王新征姚丽英黎微明
申请人 :
江苏微导纳米科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区漓江路11号
代理机构 :
南京知识律师事务所
代理人 :
万婧
优先权 :
CN201921024222.1
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/458  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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