一种微深孔内镀膜工艺及镀膜装置
公开
摘要

本申请提供一种微深孔内镀膜工艺及镀膜装置,涉及材料科学与工程技术领域,用于对带孔工件进行镀膜。微深孔内镀膜工艺包括以下步骤:将工件与磁控靶相对放置,使工件处于自转状态;对工件进行气体离子清洗;对工件进行镀膜,采用高功率脉冲磁控溅射技术,对工件进行溅射镀膜,配合工件上耦合的高功率脉冲偏压,完成工件表面及孔侧壁表面膜层的沉积。本申请微深孔内镀膜工艺利用高功率脉冲磁控溅射技术的高等离子体密度,高等离子离化率的特点,将工件置于磁控靶前自转,之后利用耦合偏压,将离子吸引到孔内,使孔内处于等离子体浸润状态,使等离子体沉积到孔侧壁,既有效提高了微孔侧壁镀膜膜层的均匀性,也可以提高膜层的附着力及膜层的质量。

基本信息
专利标题 :
一种微深孔内镀膜工艺及镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114574829A
申请号 :
CN202210219391.0
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2022-03-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田修波柏贺达靳朋礼
申请人 :
松山湖材料实验室
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
宋家会
优先权 :
CN202210219391.0
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/50  C23C14/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332