本申请提供一种镀膜装置及DLC镀膜工艺，涉及材料表面处理技术领域。镀膜装置包括真空腔体、转架、脉冲偏压电源、第一弧靶、阳极电源、弧靶电源、第二弧靶、屏蔽挡板、靶电源及阴极靶；转架转动设于真空腔体中，脉冲偏压电源连接转架，第一弧靶及第二弧靶设于真空腔体中，第一弧靶位于第二弧靶的上下两侧，弧靶电源与第二弧靶及第一弧靶连接，所述阳极电源分别与相应的所述第一弧靶连接，屏蔽挡板设于第二弧靶前侧构成弧光电子源，阴极靶设于真空腔体中，且位于转架远离第一弧靶及第二弧靶的一侧，靶电源与阴极靶连接。本申请提供的镀膜装置能够通过第一弧靶作为辅助阳极，增强弧光电子辉光，提高气体的离化率。