一种镀膜装置及清洗工艺
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种镀膜装置及清洗工艺,涉及材料表面处理技术领域。镀膜装置包括装置本体、工件转架、弧靶、挡板、辅助弧靶、脉冲偏压电源、脉冲弧电源、阳极电源及弧电源;工件转架转动设于装置本体中,弧靶及辅助弧靶分别设于装置本体内,且位于工件转架的同一侧,辅助弧靶位于弧靶的上方,挡板设于弧靶朝向工件转架的一侧,脉冲偏压电源与工件转架连接,脉冲弧电源连接弧靶,阳极电源与弧电源分别与辅助弧靶连接,脉冲偏压电源与脉冲弧电源脉冲同步。本申请镀膜装置辅助弧靶既可作为辅助阳极,还可作为正常的电弧靶沉积靶材使用,节省了镀膜装置内部零件的设置,降低了成本,提高了镀膜装置空间的利用率,脉冲同步可以在短时间对基底进行清洗。

基本信息
专利标题 :
一种镀膜装置及清洗工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481017A
申请号 :
CN202210129087.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田修波郑礼清李建伟王进平
申请人 :
松山湖材料实验室
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
宋家会
优先权 :
CN202210129087.7
主分类号 :
C23C14/02
IPC分类号 :
C23C14/02  C23C14/50  C23C14/34  C23C14/06  C23C14/16  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/02
申请日 : 20220211
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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